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全新正品供应 PBR951-W2 NXP封装SOT-23

  • 型号/规格:

    PBR95

  • 品牌/商标:

    NXP(恩智浦)

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特性:

    大功率

  • 频率特性:

    高频

  • 极性:

    NPN型

发布询价信息

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金牌会员 第 3
  • 企业名:深圳市华旋电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82812455
    0755-82508558

    手机:13823382015

    联系人:周小姐/黄小姐

    QQ: QQ:2355656977QQ:2355656979

    邮箱:2355656985@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲一期2楼2A168

商品信息

采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低

漏电流、小结电容特性, 较大的动态范围,理想的电流线性;

主要应用于超高频微波、 VHF、 UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中,

如卫星电视调谐器、 CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达感应探测器、 无线安

防报警器、 射频模块和光纤模块等产品;

PBR951 的 BVCEO=10V,适合使用于 DCVCE=3-6V 的产品上, PBR951B

的 BVCEO=18V,适合使用于 DCVCE=6-12V 的产品上;

封装形式(Package):SOT23。

2. 封装形式和引脚定义:型号(Model) PBR951 PBR951B封装形式(Package) SOT23 SOT23本体激光标示(Marking) W2 W2+

3.极限参数(Tamb=25℃):参数名称 符号 PBR951 PBR951B 单位集电极-基极电压 VCBO 20 30 V集电极-发射极电压 VCEO 10 18 V发射极-基极电压 VEBO 1.5 3.0 V集电极电流 ICM 100 100 mA耗散功率 PT 365 365 mW芯片结温 TJ 150 150 ℃储存温度 Tstg -65~+150 ℃

4. 电参数及规格(Tamb=25℃):参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位集电极-基极击穿电压 BVCBO PBR951 - 20 VPBR951B - 30 -集电极-发射极击穿高压 BVCEOPBR951 - 10VPBR951B - 18 -集电极-发射极击穿电压 BVCEOPBR951 - 1.5 -VPBR951B - 3.0集电极截止电流 ICBO VCB=10V,IE=0 - - 0.1 μA直流电流放大系数 hFEVCE=6V,IC=5mA

VCE=6V,IC=15mA PBR951 50 1 100 00 250VCE=10V,IC=5mA

VCE=10V,IC=15mA PBR951B 50 100 100 250特征频率 fT VCE=8V,IC=30mA PBR951 8.5 9.0 - GHzVCE=10V,IC=20mA PBR951B 8.0 8.5反馈电容 Cre IC=iC=0,VCB=6V,f=1MHz - 0.4 - pF

Emitter

SOT23


联系方式

企业名:深圳市华旋电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82812455
0755-82508558

手机:13823382015

联系人:周小姐/黄小姐

QQ: QQ:2355656977QQ:2355656979

邮箱:2355656985@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区新亚洲一期2楼2A168

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