SI7288DP-T1-GE3介绍：

描述 MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

制造商标准提前期 27 周

详细描述 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 40V 20A 15.6W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 Vishay Siliconix

系列 TrenchFET®

包装   带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 2 个 N 沟道（双）

FET 功能 标准

漏源电压（Vdss） 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 19 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 15nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 565pF @ 20V

功率 - 值 15.6W

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 PowerPAK® SO-8 双

供应商器件封装 PowerPAK® SO-8 Dual

基本零件编号 SI7288

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

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