IXTH13N80介绍：

描述 MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

详细描述 通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 MegaMOS™

包装     管件 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 800 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 170nC @ 10V

Vgs（值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 4500pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247（IXTH）

封装/外壳 TO-247-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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以金氧半场效晶体管（MOSFET）的命名来看，事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。

IXYS Corporation拥有种类齐全的电源管理半导体产品，包括全系列功率MOSFET、IGBT、双极和混合信号IC解决方案，为广泛的电源系统应用节省能源和成本。

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