制造商
Xilinx Inc.
制造商零件编号
XC3S1600E-4FGG400C
描述 IC FPGA 304 I/O 400FBGA
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
制造商标准提前期 6 周
类别 集成电路（IC）
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
制造商 Xilinx Inc.
系列 Spartan®-3E
零件状态 在售
LAB/CLB 数 3688
逻辑元件/单元数 33192
总 RAM 位数 663552
I/O 数 304
栅极数 1600000
电压 - 电源 1.14 V ~ 1.26 V
安装类型 表面贴装
工作温度 0°C ~ 85°C（TJ）
封装/外壳 400-BGA
供应商器件封装 400-FBGA（21x21）
基本零件编号 XC3S1600E
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事实上，美国与韩国大厂以法律当武器恫吓对手的做法，

2017 年 11 月初，紫光旗下的长江存储投入研发将近两年的 3D NAND 芯片，在搭配 NAND Flash 控制芯片置入 SSD，且连接上终端系统后，该系统成功“动”起来。
这惊天一“动”，背后代表的意义，是首颗中国制的 3D NAND 芯片成功通过终端产品的测试，宣告研发成功，中国存储产业向前迈进了一大步。这样的消息，或许可以解读为长江存储投入研发 3D NAND 芯片的初步成功，但也不要太快陷入骄傲的迷思里，因为距离实际的成功，仍有一段很长的路。早已是屡见不鲜的事，这几天，美光就针对联电和福建晋华目前仍在研发阶段的 DRAM 技术，在美国提出涉嫌妨碍运营机密的控告。而这并不是美光次出手阻止中国厂商的 DRAM 研发计划

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