制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IRFR5505TRPBF
描述 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Vgs（值） ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（值） 57W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 110 毫欧 @ 9.6A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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