主销产品：

家电IC 系列：TDA2003  ATDA2025B  TDA2030A  TDA2822M  TDA7265  TDA7294  TDA7377   TDA7388  TDA8571J TDA8920BTH TDA9233

SST系列：SST39VF3201 SST39VF1601 SST39VF

ATMEL 系列：AT24C01  AT24C02   AT24C16   AT24C32  AT89C51-24PI   AT89C51-24AU  AT89S51-24AU   AT89S52-24AU   AT89C55WD   AT45DB041D  AT89C2051-24AU  ATMEGA8L-APU    ATMEGA32L-8AU

MAXIM 系列：MAX202CPE/EPE  MAX232CPE/EPE  MAX232ACWE/AEWE  MAX3232CPE/EPE  MAX483CPA/EPA  MAX485CPA/EPA   MAX813LCPA/LEPA   MAX3082ESA   MAX809REUR-T

DALLAS 系列：DS18B20 DS18S20  DS12887  DS12C887  DS1302   DS1307

AOS 系列：AO3401  AO3403L

AO3407   AO3413  AO3701  AO4409L  AO4413A  AO4414  AON5802A  AOZ1014AI

光电藕合器：4N25  6N136  6N137  TLP115A  TLP181  TLP521-1   TLP521-2  TLP621-1  TLP621-4

等国际品牌的IC元件等电子元器件，广泛应用于民用、工业、军事领域的通讯、GPS、仪器仪表、DVB、机顶盒、蓝牙、电子游戏机、网络、电脑、等产品中。凭借公司多年的经营，与供应商建立的友好合作关系，使我们拥有了大量的库存、合理的价格和快捷的交货。

新型技术的出现

相变存储（Phase Change Memory，PCM）是诸多号称能“改变未来”的新内存技术之一，拥有接近DRAM的速度、远超过快闪内存的使用寿命，以及不供电也能保存资料的特性。通常被成为PCM或相变RAM的这种技术，是通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。

在某些方面来说，它和忆阻体有点像，都是利用物质的电阻高低值来存储信息，只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻，而相变内存用的却是温度。

研究结果显示，在0.5THz强度的电脉冲情况下，仅需几皮秒(1秒等于1012皮秒)相变内存就能产生用于存储数据的结晶纤维，尽管其他大部分依旧呈无定形状态，但基于以上实验结果，可以认为相变内存的相变过程基本在皮秒级别，而现在的DRAM(1秒等于109皮秒)内存是用纳秒来衡量的，如此一来便是1000倍的差距(1纳秒等于103皮秒)。

于是，相变存储芯片被称为21世纪的存储芯片标准，与传统存储芯片（比如内存）相比，它是一种非易失性存储芯片，但是速度达到了传统存储芯片的1000倍，同时可靠性是后者的1000倍——当然这些指标都是理论上的，不过丝毫不妨碍各大内存巨头投身相变存储的开发和布局当中！

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