深圳市惠新晨电子有限公司3.6-100V宽电压输入DC转DC升压恒流、升降压恒流、降压恒流驱动芯片方案设计，输出电压可以支持升到80V 130V不等，并且效率方案也是非常的高的，均可以达到90%以上

H6701是目前市面上成本，外围元器件少，效率，精度，性能越的一款DC转DC升压恒流LED电源芯片

H6701是一款高效率大功率高精度升压恒流LED驱动控制芯片。内置高精度误差放大器，固定关断时间控制电路，恒流驱动电路，采用固定关断时间的控制方式，关断时间可通过外部电容进行调节，工作频率可根据用户要求而设定。调节外置的电流采样电阻，能控制高亮度LED灯的驱动电流，使LED灯亮度达到预期恒定亮度。在EN端加PWM信号，可以进行LED灯调光。集成VDD稳压管，软启动以及过温保护电路，采用SOP8，外置MOS管，输出电流高达5A。

技术参数：

输入电压：3.6V~100V

效率高达95%

工作频率：1MHz

 CS限流保护电压：250mV

 FB电流采样电压：250mV

芯片供电欠压保护：3.2V

关断时间可调

智能过温保护

软启动

内置VDD稳压管

支持大电流输出，支持30W 50W 20W 等大功率

应用领域 ：LED低压投光灯、低压球泡灯、低压灯管、灯丝灯电源、船舶灯电源

H6702典型应用参数：3.7V升36V 12V升80V240mA  12V升36V700mA

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据台湾电子时报网站报道，国内出现了三大半导体代工厂商，分别是中芯国际、华虹半导体和华力微电子公司。这三家公司目前正在扩大芯片制造能力。

中国政府已经制定了发展半导体产业的宏伟目标，2016年，芯片国产率只有26.2%，到2025年，国产率将增加到七成。这意味着国内的半导体制造能力也要同步增加。

在半导体制造方面，中国大陆的公司目前处于落后。据悉，台积电、格罗方德、台联电等公司在中国大陆建设了一些工厂，目前正在建设“12英寸晶圆”芯片厂(芯片厂加工的晶圆直径为12英寸，晶圆面积越大，生产效率越高)。

据报道，由于在芯片制造技术方面暂时落后，中国大陆本土代工厂主要瞄准了汽车电子芯片等市场，这种芯片并不需要的制造工艺。

台湾电子时报研究部表示，中国大陆三家芯片代工厂的产能提升，将主要取决于国内芯片市场。

在全球半导体代工市场，台湾地区的台积电是占据了半壁江山的巨无霸企业，台积电是苹果公司芯片重要的代工厂，而且近些年在苹果订单中占到的比例越来越高，对三星电子形成了巨大压力。

在半导体的制造工艺中，作为线宽的“纳米”数成为重要的衡量指标，线宽越小，单位面积整合的晶体管数量越多，处理性能越强大，电耗也就越低。台积电不久前宣布，将会建设家3纳米芯片制造厂，计划在2020年投产。

据悉，台积电和三星电子已经采用10纳米工艺生产芯片。

中国大陆的半导体工厂，目前已经具备多少纳米的制造工艺，尚不得而知。去年业内曾有消息称，中芯国际将会在2019年，采用14纳米工艺生产芯片。

在中国内地半导体设计公司方面，去年底行业机构公布的统计数据显示，中国内地已经拥有近1400家芯片设计公司，去年的总收入将达到300亿美元。

在一些低端智能手机中，国产机厂商开始尝试使用内地设计公司的处理器。不过主流的处理器依然来自高通和联发科。

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