西门子S7-1500模块甘肃总代理 西门子S7-1500模块甘肃总代理 西门子S7-1500模块甘肃总代理 西门子S7-1500模块甘肃总代理 西门子S7-1500模块甘肃总代理 西门子S7-1500模块甘肃总代理

6ES7 952-1AM00-0AA0 4M字节 RAM

6ES7 952-1AP00-0AA0 8M字节 RAM

6ES7 952-1AS00-0AA0 16M字节 RAM

6ES7 952-1AY00-0AA0 64M字节 RAM

6ES7 952-0KF00-0AA0 64K字节 FLASH EPROM

6ES7 952-0KH00-0AA0 256K字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KK00-0AA0 1M字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KL00-0AA0 2M字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KM00-0AA0 4M字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KP00-0AA0 8M字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KS00-0AA0 16M字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KT00-0AA0 32M字节 FLASH EPROM

6ES7 952-1KY00-0AA0 64M字节 FLASH EPROM

开关量输入模板

6ES7 421-7BH01-0AB0 开关量输入模块(16点,24VDC)中断

6ES7 421-1BL01-0AA0 开关量输入模块(32点,24VDC)

6ES7 421-1EL00-0AA0 开关量输入模块(32点,120VUC)

6ES7 421-1FH20-0AA0 开关量输入模块(16点,120/230VUC)

6ES7 421-7DH00-0AB0 开关量输入模块(16点,24V到60VUC)

开关量输出模板

6ES7 422-1BH11-0AA0 开关量输出模块(16点,24VDC，2A）

6ES7 422-1BL00-0AA0 32点输出，24VDC,0.5A

6ES7 422-7BL00-0AB0 32点输出，24VDC,0.5A,中断

6ES7 422-1FH00-0AA0 16点输出，120/230VAC，2A

6ES7 422-1HH00-0AA0 16点输出，继电器，5A

模拟量模块

6ES7 431-0HH00-0AB0 16路模拟输入，13位

6ES7 431-1KF00-0AB0 8路模拟输入，13位，隔离

6ES7 431-1KF10-0AB0 8路模拟输入，14位，隔离，线性化

6ES7 431-1KF20-0AB0 8路模拟输入，14位，隔离

6ES7 431-7QH00-0AB0 16路模拟输入，16位，隔离

6ES7 431-7KF00-0AB0 8路模拟输入，16位，隔离，热电偶

6ES7 431-7KF10-0AB0 8路模拟输入，16位，隔离，热电阻

6ES7 432-1HF00-0AB0 8路模拟输出，13位，隔离

功能模板

6ES7 450-1AP00-0AE0 FM450-1计数器模板

6ES7 451-3AL00-0AE0 FM451定位模板

6ES7 452-1AH00-0AE0 FM452电子凸轮控制器

6ES7 453-3AH00-0AE0 FM453定位模板

6ES7 455-0VS00-0AE0 FM455C闭环控制模块

6ES7 455-1VS00-0AE0 FM455S闭环控制模块

6DD1 607-0AA2 FM 458-1DP快速处理系统

6ES7 953-8LJ20-0AA0 用于FM458-1DP 基本模板 512KByte(MMC)

6ES7 953-8LL20-0AA0 用于FM458-1DP 基本模板 2MByte(MMC)

6ES7 953-8LM20-0AA0 用于FM458-1DP 基本模板 4MByte(MMC)

6DD1 607-0CA1 EXM 438-1 I/O扩展模板

6DD1 607-0EA0 EXM 448 通讯扩展模板

6DD1 607-0EA2 EXM 448-2 通讯扩展模板

6DD1 684-0GE0 SC64连接电缆

如今3D NAND的热潮兴起，在三星带领下，今年将成为投资的热点之一。

因此，除了国际大厂在中国独资建厂之外，它们的目的无非是为了更接近于客户，瞄准未来中国的大数据、服务器及物联网等市场以及希望地方政府能提供更多的优惠政策与补贴。当然还有可能出现穿上“马甲”的地方政府项目，它们的目的几乎差不多——迎合地方政府的“需要”，基本上都是拿中国人的钱来搞建设，自身很少出资。因此必须密切关注未来项目的潜在风险。

中国半导体业的发展面临的问题十分复杂，不向前走是肯定不对的，但是怎么走得稳妥，少些弯路又显得是十分重要。

如今普遍的论点是，中国每年消耗全球DRAM+NAND的30%～40%，约300亿美元。因此上马几条存储器生产线也只能满足需求的10%～20%。其实这样的逻辑是不够全面与客观的，它可能会引发未来中国存储器产能的过剩。因为市场没有国界，中国处于全球化市场之中。只有中国生产的存储器芯片能够产生销售额，有足够的利润才是符合市场化规则的。如果产品在性能、价格，尤其是价格方面，无法与三星等抗衡，产品就一定会积压，中国的存储器生产线会面临巨大的亏损，迫使生产线无法持续下去。

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