安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理 安徽西门子S7-1500代理

6ES7 350-1AH03-0AE0    FM350-1 计数器功能模块      

6ES7 350-2AH00-0AE0    FM350-2 计数器功能模块      

6ES7 351-1AH01-0AE0    FM351 定位功能模块      

6ES7 352-1AH02-0AE0    FM352 电子凸轮控制器+组态包光盘      

6ES7 355-0VH10-0AE0    FM355C 闭环控制模块      

6ES7 355-1VH10-0AE0    FM355S 闭环控制系统      

6ES7 355-2CH00-0AE0    FM355-2C 闭环控制模块      

6ES7 355-2SH00-0AE0    FM355-2S 闭环控制模块      

6ES7 338-4BC01-0AB0    SM338位置输入模块      

6ES7 352-5AH00-0AE0    FM352-5高速布尔处理器      

6ES7 352-5AH00-7XG0    FM352-5功能软件包      

通讯模板          

6ES7 340-1AH02-0AE0    CP340 通讯处理器（RS232）      

6ES7 340-1BH02-0AE0    CP340 通讯处理器（20mA/TTY）      

6ES7 340-1CH02-0AE0    CP340 通讯处理器（RS485/RS422）      

6ES7 341-1AH01-0AE0    CP341 通讯处理器（RS232）      

6ES7 341-1BH01-0AE0    CP341 通讯处理器（20mA/TTY）      

6ES7 341-1CH01-0AE0    CP341 通讯处理器（RS485/RS422）      

6ES7 870-1AA01-0YA0    可装载驱动 MODBUS RTU 主站      

6ES7 870-1AB01-0YA0    可装载驱动 MODBUS RTU 从站      

6ES7 902-1AB00-0AA0    RS232电缆  5m      

6ES7 902-1AC00-0AA0    RS232电缆  10m      

6ES7 902-1AD00-0AA0    RS232电缆  15m      

6ES7 902-2AB00-0AA0    20mA/TTY电缆  5m      

6ES7 902-2AC00-0AA0    20mA/TTY电缆  10m      

6ES7 902-2AG00-0AA0    20mA/TTY电缆  50m      

6ES7 902-3AB00-0AA0    RS485/RS422电缆  5m      

6ES7 902-3AC00-0AA0    RS485/RS422电缆  10m      

6ES7 902-3AG00-0AA0    RS485/RS422电缆  50m      

6GK7 342-5DA02-0XE0    CP342-5通讯模块      

6GK7 342-5DF00-0XE0    CP342-5  光纤通讯模块      

6GK7 343-5FA01-0XE0    CP343-5通讯模块      

6GK7 343-1EX30-0XE0    CP343-1 以太网通讯模块      

6GK7 343-1EX21-0XE0    CP343-1 以太网通讯模块      

6GK7 343-1CX00-0XE0    CP343-1 以太网通讯模块      

6GK7 343-1CX10-0XE0    CP343-1 以太网通讯模块      

6GK7 343-1GX20-0XE0    CP343-1 IT  以太网通讯模块      

6GK7 343-1GX21-0XE0    CP343-1 IT  以太网通讯模块(支持PROFINET)      

6GK7 343-1HX00-0XE0    CP343-1PN PROFINET以太网通讯模块      

6GK7 343-2AH00-0XA0    CP343-2 AS-Interface    

6ES7 312-1AE13-0AB0 CPU312，32K内存

6ES7 312-5BE03-0AB0 CPU312C，32K内存 10DI/6DO

6ES7 313-5BF03-0AB0 CPU313C，64K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO

6ES7 313-6BF03-0AB0 CPU313C-2PTP，64K内存 16DI/16DO

6ES7 313-6CF03-0AB0 CPU313C-2DP，64K内存 16DI/16DO

6ES7 314-1AG13-0AB0 CPU314,96K内存

6ES7 314-6BG03-0AB0 CPU314C-2PTP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO

6ES7 314-6CG03-0AB0 CPU314C-2DP 96K内存 24DI/16DO / 4AI/2AO

6ES7 315-2AG10-0AB0 CPU315-2DP, 128K内存

6ES7 315-2EH13-0AB0 CPU315-2 PN/DP, 256K内存

6ES7 317-2AJ10-0AB0 CPU317-2DP,512K内存

6ES7 317-2EK13-0AB0 CPU317-2 PN/DP,1MB内存

6ES7 318-3EL00-0AB0 CPU319-3 PN/DP,1.4M内存

S7-300

一般步骤

S7-300自动化系统采用模块化设计。它拥有丰富的模块，且这些模块均可以独立地组合使用。

一个系统包含下列组件：

CPU：

不同的 CPU 可用于不同的性能范围，包括具有集成 I/O 和对应功能的 CPU 以及具有集成 PROFIBUS DP、PROFINET 和点对点接口的 CPU。

用于数字量和模拟量输入/输出的信号模块 (SM)。

用于连接总线和点对点连接的通信处理器 (CP)。

用于高速计数、定位（开环/闭环）及 PID 控制的功能模块（FM）。

根据要求，也可使用下列模块：

用于将 SIMATIC S7-300 连接到 120/230 V AC 电源的负载电源模块(PS)。

接口模块 (IM)，用于多层配置时连接中央控制器 (CC) 和扩展装置 (EU)。

通过分布式中央控制器 (CC) 和 3 个扩展装置 (EU)，SIMATIC S7-300 可以操作多达 32 个模块。所有模块均在外壳中运行，并且无需风扇。

SIPLUS 模块可用于扩展的环境条件：

适用于 -25 至 +60℃ 的温度范围及高湿度、结露以及有雾的环境条件。防直接日晒、雨淋或水溅，在防护等级为 IP20 机柜内使用时，可直接在汽车或室外建筑使用。不需要空气调节的机柜和 IP65 外壳。

设计

简单的结构使得 S7-300 使用灵活且易于维护：

安装模块：

只需简单地将模块挂在安装导轨上，转动到位然后锁紧螺钉。

集成的背板总线：

背板总线集成到模块里。模块通过总线连接器相连，总线连接器插在外壳的背面。

模块采用机械编码，更换极为容易：

更换模块时，必须拧下模块的固定螺钉。按下闭锁机构，可轻松拔下前连接器。前连接器上的编码装置防止将已接线的连接器错插到其他的模块上。

现场证明可靠的连接：

对于信号模块，可以使用螺钉型、弹簧型或绝缘刺破型前连接器。

TOP 连接：

为采用螺钉型接线端子或弹簧型接线端子连接的 1 线 - 3 线连接系统提供预组装接线另外还可直接在信号模块上接线。

规定的安装深度：

所有的连接和连接器都在模块上的凹槽内，并有前盖保护。因此，所有模块应有明确的安装深度。

无插槽规则:

信号模块和通信处理器可以不受限制地以任何方式连接。系统可自行组态。

扩展

2.频率更高，电压更低

更先进的半导体制造工艺另一个重要优点就是可以提升工作频率。缩减元件之间的间距之后，晶体管之间的电容也会降低，晶体管的开关频率也得以提升，从而整个芯片的工作频率就上去了。

另外晶体管的尺寸缩小会减低它们的内阻，所需导通电压会降低，这代表着CPU的工作电压会降低，所以我们看到每一款新CPU核心，其电压较前一代产品都有相应降低。另外CPU的动态功耗损失是与电压的平方成正比的，工作电压的降低，可使它们的功率也大幅度减小。

尽管制程变小有许多好处，但并不是无限制的，漏电流问题是当中一个重要因素。

在场效应晶体管的门与通道之间是有一层绝缘的二氧化硅的，作用就是防止漏电流的，这个绝缘层越厚绝缘作用越好。然而随着工艺的发展，这个绝缘层的厚度被慢慢削减，原本仅数个原子层厚的二氧化硅绝缘层变得更薄，进而导致泄漏更多电流，泄漏的电流又增加了芯片额外的功耗。

到了10nm之后，就不能像以往的节点一样，通过简单的缩小栅极宽度来推进工艺制程。往7nm的迁移势必需要昂贵的全新晶体管架构、沟道材料和内部连接。同时还需要全新的Fab工具和材料。

芯片工艺的未来和猜测7nm以后，5nm 工艺到底有多少实现的可能和意义，更是成为业界的一个争论点。从目前来看，5nm节点前面横亘着若干技术和经济上的挑战，即使能够实现，它也可能会相当昂贵。

实际上，Gartner的分析师Bob Johnson认为，鉴于工艺技术日益严苛的成本和复杂性，7nm可能会跳票到2020年，比一些芯片制造商预期的路线图大约晚一到两年。而这又将反过来影响5nm的面世时间——如果行业决定向5nm继续迈进的话。

“我认为5nm肯定会面世，只是不会是2020年那么早。”Johnson说，可靠的5nm工艺可能会在2023年左右出现。

但芯片制造商比较乐观，他们认为5nm的应用只是时间早晚问题，正在重新评估5nm节点的晶体管技术，并重新修订路线图。根据之前的路线图，FinFET可以下探到7nm，然后寿终正寝，行业需要在5nm节点上选择一种新型的晶体管技术。而且，5nm的选项是横向纳米线FET，也被称为围栅FET。这种材料静电性能很好，只是制造困难而且成本高昂。

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