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原装进口DDR2 SDRAM海力士H5PS1G63KFR-S6C

  • 型号:

    H5PS1G63KFR-S6C

  • 封装:

    FBGA

  • 年份:

    17+

  • 产家:

    SKHYNIX

  • 数量:

    12980

  • 描述:

    1G DDR2 SDRAM

  • 价格:

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    可出

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  • 企业名:益善半导体

    类型:贸易/代理/分销

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商品信息

型号:H5PS1G63KFR-S6C

封装:FBGA

年份:17+

数量:12980

类别:原装现货

描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA

DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,是DDR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者,也是现时流行的存储器产品。由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发。

DDR2 SDRAM的结构及特点:编辑DDR2内存拥有240个引脚(不包括定位槽),笔记本内存为200个引脚DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间(反面位于第184和185引脚之间)DDR2内存均采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式,特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压(数据线用)DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路,也有少数采用调压方式供电。

DDR2 SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。



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