产品参数：

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 6.2nC @ 4.5V

Voltage Coupled to Gate Charge（Qg）（Max） @ Vgs 4.5V

Vgs（值） ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 451pF @ 10V

Voltage Coupled to Input Capacitance（Ciss）（Max） @ Vds 10V

FET 功能 -

功率耗散（值） 500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 115 毫欧 @ 1.6A，4.5V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SuperSOT-3

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

贴片电容品牌：Samsung/三星、TDK、MURATA/村田、太诱、FH/风华、HEC/禾伸堂、华新、PDC/信昌。

贴片电容封装：0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220。

二三极管品牌：ST/意法、TOSHIBA/东芝、CJ/长电、NXP/恩智浦、ON、LRC、MIC。

二三极管封装：LL34、LL41、SMA/DO-214AC、SMB/DO-214AA、SMC/DO-214AB、SOD-123、SOD-323、SOD-523、SMAF、SOD-123FL、DO-35、DO-41、DO-15、SOT-23

、SOT-89、TO-92、TO-126。

企业名：深圳一鑫城电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 075583513235

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