ESD防静电保护管 MSFDC6301N SOT-23-6，MSKSEMI品牌这些双N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管是利用半导体专有的高单元密度DMOS技术生产的。这个非常高密度的过程是特别定制，以尽量减少对状态的阻力。这种器件是专门为低电压应用而设计的，作为数字晶体管的替代品。由于不需要偏置电阻，这些N沟道场效应管可以用各种偏置电阻来代替几个数字晶体管。非常低的门驱动要求，允许在3V电路中直接操作。vgs（th）<1.5V。门源齐纳，用于静电放电坚固性。人体接触放电>6KV。

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