MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
60V
企业名:深圳市天芯半导体科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
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联系人:曾少威/罗小文/李顺/刘瑞娜
邮箱:sdl169@163.com
地址:广东深圳中航路鼎诚国际大厦北座2501A
品 牌:AOS封 装:SOP-8批 次:17+包 装:3000参 数:全新原装现货数据列表:AO4260SO8 Pkg Drawing其它有关文件:AOS Green Policy类别:分立半导体产品家庭:晶体管 - FET,MOSFET - 单制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.系列:-包装:带卷(TR)零件状态:在售FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide)漏源极电压(Vdss):60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta)Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):*不同?Id,Vgs 时的?Rds On(值):5.2 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(值):2.4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):100nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4940pF @ 30VFET 功能:-功率耗散(值):*工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装:8-SOIC标准包装:3,000其它名称:785-1463-2
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