IRFL4315TRPBF介绍:

描述 MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 26 周

详细描述 表面贴装 N 沟道 150V 2.6A（Ta） 2.8W（Ta） SOT-223

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 19nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 420pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 2.8W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 185 毫欧 @ 1.6A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

艾睿（深圳）实业有限公司介绍:

艾睿（深圳）实业有限公司与世界各品牌生产厂商、国外代理商密切合作，提供直接的货源、减少产品的流通环节，

降低运营成本。目前为 TI(德州仪器)、ST（意法半导体）、ADI（亚德诺半导体）、

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艾睿（深圳）实业有限公司是一家代理和分销世界各类品牌IC及电子元器件的高新技术性公司。

于2013年在深圳成立并申请为一般纳税人企业，为客户提供16%的增值税票，开拓终端工厂市场，

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地址：深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室

由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图5所示，它的转移特性如图6所示。VP为夹断电压（ID=0）。

企业名：艾睿（深圳）实业有限公司

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