CSD87350Q5D  CSD87350Q5D  CSD87350Q5D

制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LSON-CLIP-8通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:40 AVgs - 栅极-源极电压:5 VVgs th-栅源极阈值电压:1 V, 750 mVQg-栅极电荷:8.4 nC, 20 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:12 W配置:Dual通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.5 mm 长度:6 mm 系列:CSD87350Q5D 晶体管类型:2 N-Channel 类型:Synchronous Buck MOSFET Driver 宽度:5 mm 商标:Texas Instruments 正向跨导 - 值:97 S, 157 S 开发套件:TPS53819AEVM-123 下降时间:2.3 ns, 4.7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:17 ns, 10 ns 工厂包装数量:2500 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:13 ns, 33 ns 典型接通延迟时间:7 ns, 8 ns 单位重量:162 mg

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