NAND Flash芯片三星 K4B1G0846G-BCH9

    NAND Flash芯片三星 K4B1G0846G-BCH9关键特征

    jedec标准1.5v±0.075v电源

    VDDQ=1.5V±0.075V

    800MB/sec/pin为400 MHz FCK，1066MB/sec/pin为533MHz FCK，

    1333MB/sec/pin为667MHz FCK，1600MB/sec/pin为800MHz FCK

    900MHz FCK，1866MB/秒/针

    8家银行

    可编程CAS潜伏期（张贴CAS）：5、6、7、8、9、10、11、13

    可编程附加延迟：0、Cl-2或Cl-1时钟

    可编程CAS写入潜伏期（CWL）＝5（DDR3-800），6

    （DDR3-1066）、7（DDR3-1333）、8（DDR3-1600）和9（DDR3-1866）

    8位预取

    突发长度：8（无限制交织，按顺序启动

    地址“000”，4，TCCD=4，不允许无缝连接

    读或写[使用A12或MRS在飞行中]

    双向差分数据选通

    内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准

    （RZQ:240欧姆±1%）

    使用ODT引脚的模上终端

    低于TCase 85°C时的平均刷新周期为7.8us，低于TCase 85°C时的平均刷新周期为3.9us

    85°C<tcase<95°C

    异步复位

    包装：78球FBGA-X4/X8

    所有无铅产品均符合RoHS标准

    NAND Flash芯片三星 K4B1G0846G-BCH9所有产品均无卤素

    被组织为32MB x 4 I/OS x 8银行，设备。

    这个同步装置达到了很高的速度双数据传输速率高达1866MB/sec/pin（）一般应用。

    该芯片的设计符合以下关键的ddr3 sdram特性如张贴CAS，可编程CWL，内部（自）校准，使用ODT引脚和异步复位的模具端接。

    所有控制和地址输入都与一对外部提供差分时钟。输入锁定在差分的交叉点时钟（CK上升和CK下降）。

    所有I/O都与以源同步方式对双向选通（dqs和dqs）。

    地址总线用于传递行、列和银行地址复用方式中的信息。DDR3设备工作带1.5V±0.075V电源和1.5V±0.075V VDDQ。

    设备提供78球FBGAS（X4/X8）。

    注：

    1.本数据表是完整DDR3规范的摘要，不包括“DDR3 SDRAM设备操作和定时”中描述的常见功能图表。

    2.本数据表中描述的功能和包括的计时规范适用于启用dll的操作模式。

    公司介绍：

    深圳振华航空半导体有限公司是集电子元器件营销和技术开发，技术咨询、信息服务等为一体的高科技企业，有着多年半导体市场营销及推广经验，振华航空集团创建于2004年，公司总部位于香港，在深圳、广州、上海、美国等电子市场设有办事处和分公司。

    公司秉承的一贯宗旨：原厂原装，品质保证，视信誉为生命，以客户为中心，并推行30天无条件退货,不设低采购量限制，不用客户承担任何运费。

    现已成为亚太地区混合型电子元器件（授权或非授权）分销商，先后被国内研究所和国企评为“中国行业优质供应商”。

    文化介绍

    振华航空的企业文化为“以人为本、诚信、务实、合作，奉献，创新，超越”。

    价值观

    振华航空以“为员工、客户创造大利益”为核心价值观，求实进取，不断创新，为企业和客户创造价值，为社会创造效益，经过多年不懈努力，形成了我们电子行业的四大优势：

    雄厚的技术实力

    贴心的客户服务

    严格的品质保证

    相比的价格优势

企业名：深圳振华航空半导体有限公司

类型：贸易/代理/分销

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