K9GAG08UOD-PIBO闪存存储阵列主图

K9GAG08UOD-PIBO闪存存储阵列参数

制造商IC编号K9GAG08UOD-PIBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9GAG08UOD-PIBO闪存存储阵列相关信息

内存闪存价格齐跌，新一代存储芯片或将有望进入市场2019-05-21 17:30 预计 3 分钟读完经过前几年电脑的内存和闪存的价格高企后，现在倒是跌到了白菜价，16GB 内存现在也只要 600 多块，而 SSD 硬盘 1TB 容量的也只要 700 多块了，同样地 M.2 版也只贵一点。

面对内存闪存价格齐跌，但是这两种存储芯片也同样面临着制程微缩的难题，提升性能、降低成本之路也会越来越艰难，为此 Intel、三星、美光等厂商也在寻求开发新一代存储芯片解决方案，比如 3D XPoint、MRAM 磁阻随机存取存储器、PRAM 相变内存及 RRAM 可变电阻内存等。

上述新一代存储芯片优势很多，它们既是非易失性的，不像 DRAM 内存那样断电就不能保存数据，而且性能也要比 NAND 闪存快得多，简单来说就是模糊了 RAM、ROM 的界限，试想一下电脑重启之后原来打开的网页、播放的视频还在是多么神奇的一件事，新一代存储芯片就有这样的效果。

不过这些芯片理论上性能动辄是内存、闪存的 10 倍、100 倍甚至 1000 倍，但是目前的问题在于不论 MRAM 还是 PRAM，它们现在的容量都很小，而且制造工艺也非标准化的，所以取代内存闪存的过程是漫长的。

目前做的比较的好也就是 Intel 的 Optane 傲腾内存，傲腾 DC 可持续内存单条容量目前提供 128GB、256GB、512GB，插槽兼容 DDR4，功耗 18W，频率等同于 DDR4-2666，读取带宽 6.8GB/s，写入带宽 2.3GB/s。

由于新一代存储器尚未规模化与标准化，因此成本较高，所以厂商目前几乎都锁定在数据中心等特殊应用，尤其是超大规模数据中心拥有相对高程度的定制化设计，可以针对不同存储器规划新的配置。此外，有观点认为目前内存、闪存价格下滑，并不是新一代存储芯片进入市场的机会，他们预计明年内存、闪存价格就会止跌反弹，这个时候也是新一代存储芯片进入市场的好机会。

所以 2019 年是购买内存和闪存划算的一年，同时这也能刺激 PC 市场的装机量和升级需求。如果到了明年价格反弹，倒不如考虑等待下一代储存芯片不失为一个好选择。

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