MT29F128G08CJABAWP:B存储类芯片报价主图

MT29F128G08CJABAWP:B存储类芯片报价参数

制造商IC编号MT29F128G08CJABAWP:B

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码16GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP-48

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0 ~ 70 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

MT29F128G08CJABAWP:B存储类芯片报价相关信息

Imec的半导体展望：极限与道路选项。

英特尔、三星以及台积电等厂商都有可能发布自己的下一代晶体管产品。之所以各寻出路，是因为在面对几乎无法突破的技术极限之后，半导体发展路线图开始呈现发散的整体态势。

在一年一度的大会活动当中，Imec研究人员们列出了一份被行业观察者们称为“寒武纪爆发”的选项清单，旨在为这条似乎已经走不通的道路找到新的突破口。这份清单当中包含多种晶体管设计、材料、架构以及封装方法。

Imec研究协会执行官Luc van den Hove在主题演讲当中表示，“通用型设备也许不再有发展空间……一线形式的路线图也可能无法满足需求。未来还不明确，但我们显然需要更多选项。”

鉴于Imec所展示的发展路线图已经非常清醒地体现出我们对于当前困境的理解，工程师们将能够从中获得后续探索所需要的一切手段。从尺寸上看，这份路线图预计下几代芯片都将只能在个位数纳米级别区间内行进。换言之，栅极长度超过40纳米，金属间距为16纳米以及节点尺寸2纳米恐怕已经是物理层面的真正极限。

研究人员们展示了一份坦率而积极的发展路线图，其中N7与目前晶圆代工厂生产的N5节点类似。

结果就是，芯片的性能可能将无法满足高端使用场景的需求。虽然有效功率已经封顶，但在某些情况下现有芯片方案仍存在改进空间，特别是那些愿意从FinFET转向更为紧凑的纳米片晶体管的设计方案。

在另一方面，专注于为各类移动系统缩小芯片尺寸并实现功率控制的芯片制造商可能还将继续长期依赖于FinFET。相反，那些狂热希望获得进一步性能提升的人们则会提前转向纳米片设计，Imec公司预计这将使芯片的主频增加8%，但代价就是芯片尺寸无法缩小。

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