制造商

STMicroelectronics

制造商零件编号

STGWT60H60DLFB

数据列表 STGW(T)60H60DLFB;

标准包装   30

包装   管件  

零件状态 在售

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

系列 -

规格

IGBT 类型 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（值） 600V

电流 - 集电极（Ic）（值） 80A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 240A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2V @ 15V，60A

功率 - 值 375W

开关能量 626μJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 306nC

25°C 时 Td（开/关）值 -/160ns

测试条件 400V，60A，5 欧姆，15V

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装 TO-3P

IC设计龙头联发科第二季订单传捷报。中国第二大手机品牌OPPO本月10日发表新款Reno系列在即，消息传出联发科确定雀屏中选，在中阶机种与高通分食订单，加上OPPO子品牌Realme 3也将搭载P70芯片前进印度，联发科在中、低阶机种大获全胜，稳住基本盘，第二季拉货动能启动，营运谷底翻身。

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