STGY50NC60WD
ST
18+
-
企业名:深圳市耀智达科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
0755-82513303
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手机:19868117144
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联系人:胡先生/胡先生
邮箱:2940540062@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华富路1006航都大厦19G
制造商
STMicroelectronics
制造商零件编号
STGY50NC60WD
数据列表 STGY50NC60WD;
标准包装 30
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
系列 PowerMESH™
规格
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(值) 110A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 180A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.6V @ 15V,40A
功率 - 值 278W
开关能量 365μJ(开),560μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 195nC
25°C 时 Td(开/关)值 52ns/240ns
测试条件 390V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 55ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 MAX247™
.概 念:
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
2.特 点:
具有输入电阻高(100MΩ~1 000MΩ)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
3.作 用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
4.场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类,按沟道材料:
结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的.
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
5.场效应管的主要参数:
Idss— 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
Up— 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
Ut— 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
gM— 跨导.是表示栅源电压
UGS— 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.
gM — 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
BVDS— 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
PDSM— 耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
IDSM— 漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM。
提供研发设计,推广AC-DC高能效驱动电源方案,特别在LED电源驱动及LED调光领域,提供给客户高性价比的创新方案. 分销品牌: 美国POWER(PI),台湾绿达GRENERGY,矽瑞微,等品牌IC,MOS。
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