发明人
名称来源
结构简介
pnp和npn三极管的结构及其示意图
3(a)
RENESAS/瑞萨
FC3357 RE RF
SOT89
硅(Si)
放大
企业名:深圳市茂泰维特电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
075582974808
075582974808
075583513344
手机:13510448182
13713858316
18923713237
联系人:陈先生/陈先生/陈小姐
邮箱:2717317686@qq.com
地址:广东深圳龙华新区大浪街道高峰社区中兴小区36号604
超高频低噪声功率管管1.FC3357硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低躁声特性、大动态范围和理想的电流特性。2.主要应用:FC3357主要应用于VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器。3.主要特性高增益:︱S21︱2典型值为9dB @f=1GHz、Vce=10V、Iceo=20mA低躁声: NF典型值为1.5dB @f=1GHz、Vce=10V、Iceo=7mA特征频率: fT典型值为6.5GHz @Vce=10V、Ic=20mA 4.极限工作条件范围(T=25℃):集电极基极击穿电压VCBO 20 V集电极发射极击穿电压VCEO 12 V发射极基极击穿电压VEBO 3 V集电极电流IC 100 mA功耗PC 0.2 W结温度Tj 150℃存储温度Tstg -65~+150℃5.HFE规格等级G R S标号RH RF RE HFE 50-100 80-160 125-250 6.封装形式SOT-89。
三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
pnp和npn三极管的结构及其示意图
3(a)
企业名:深圳市茂泰维特电子有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话:
075582974808
075582974808
075583513344
手机:13510448182
13713858316
18923713237
联系人:陈先生/陈先生/陈小姐
邮箱:2717317686@qq.com
地址:广东深圳龙华新区大浪街道高峰社区中兴小区36号604
友情链接: 深圳市元东发电子有限公司