PDTD113ZT   分立半导体产品   晶体管  双极 (BJT)  单  预偏置  (百分百原装现货  优势供应） PDTD113ZT  PDTD113ZT  PDTD113ZT

制造商: Nexperia

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

配置: Single

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 1 kOhms

典型电阻器比率: 10

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 70

集电极—发射极电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 500 mA

峰值直流集电极电流: 500 mA

Pd-功率耗散: 250 mW

工作温度: - 65 C

工作温度: + 150 C

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V  

高度: 1 mm  

长度: 3 mm  

宽度: 1.4 mm  

商标: Nexperia  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased  

资格: AEC-Q101  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: PDTD113ZT T/R  

单位重量: 8 mg  

制造商: Nexperia

产品种类: 双极晶体管 - 预偏置

配置: Single

晶体管极性: NPN

典型输入电阻器: 1 kOhms

典型电阻器比率: 10

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

直流集电极/Base Gain hfe Min: 70

集电极—发射极电压 VCEO: 50 V

集电极连续电流: 500 mA

峰值直流集电极电流: 500 mA

Pd-功率耗散: 250 mW

工作温度: - 65 C

工作温度: + 150 C

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V  

高度: 1 mm  

长度: 3 mm  

宽度: 1.4 mm  

商标: Nexperia  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased  

资格: AEC-Q101  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

零件号别名: PDTD113ZT T/R  

单位重量: 8 mg  

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类型：贸易/代理/分销

电话： 075582522939
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联系人：胡小姐/胡先生

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