IRG4PF50WDPBF     IGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 900 V

集电极—射极饱和电压: 2.25 V

栅极/发射极电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 51 A

Pd-功率耗散: 200 W

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

封装: Tube

集电极连续电流 Ic: 51 A  

高度: 20.7 mm  

长度: 15.87 mm  

宽度: 5.31 mm  

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 100 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 400  

子类别: IGBTs  

零件号别名: SP001547862  

单位重量: 38 g

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