IRFR5410TRPBF    分立半导体产品   晶体管  FET  MOSFET  单 MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 26mOhms 70nC

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:  无铅环保  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 13 A

Rds On-漏源导通电阻: 205 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 38.7 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 66 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

高度: 2.3 mm  

长度: 6.5 mm  

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: HEXFET Power MOSFET  

宽度: 6.22 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 3.2 S  

下降时间: 46 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 58 ns  

工厂包装数量: 2000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 45 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

零件号别名: SP001557100  

单位重量: 4 g  

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