SI9933CDY-T1-GE3  MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8 SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3

制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保 
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV
Qg-栅极电荷:17 nC
工作温度:- 50 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.1 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Reel
高度:1.75 mm 
长度:4.9 mm 
系列:SI9 
晶体管类型:2 P-Channel 
宽度:3.9 mm 
商标:Vishay Semiconductors 
正向跨导 - 值:11 S 
下降时间:13 ns 
产品类型:MOSFET 
上升时间:50 ns 
工厂包装数量:2500 
子类别:MOSFETs 
典型关闭延迟时间:29 ns 
典型接通延迟时间:21 ns 
零件号别名:SI9933CDY-GE3 
单位重量:187 mg

制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 无铅环保 
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:4 A
Rds On-漏源导通电阻:58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV
Qg-栅极电荷:17 nC
工作温度:- 50 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:3.1 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Reel
高度:1.75 mm 
长度:4.9 mm 
系列:SI9 
晶体管类型:2 P-Channel 
宽度:3.9 mm 
商标:Vishay Semiconductors 
正向跨导 - 值:11 S 
下降时间:13 ns 
产品类型:MOSFET 
上升时间:50 ns 
工厂包装数量:2500 
子类别:MOSFETs 
典型关闭延迟时间:29 ns 
典型接通延迟时间:21 ns 
零件号别名:SI9933CDY-GE3 
单位重量:187 mg

企业名：深圳市川蓝电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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