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FZ1500R33HE3 英飞凌IGBT功率模块3300V 1500A 全新原装现货包邮

FZ1500R33HE3 英飞凌IGBT功率模块3300V 1500A 全新原装现货包邮
FZ1500R33HE3 英飞凌IGBT功率模块3300V 1500A 全新原装现货包邮
  • 品牌：

    英飞凌

  • 型号：

    FZ1500R33HE3

  • 封装：

    盒装

  • 批号：

    FZ1500R33HE3

  • 断态电压：

    3300V

  • 通态电流))：

    1500A

  • 栅极触发电流(Igt)：

    650A

  • 不重复浪涌电流(Itsm)：

    1500A

  • 工作温度范围：

    25

  • 应用领域：

    汽车电子,新能源

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普通会员

  • 企业名：北京一祥聚辉科贸有限公司

    类型：贸易/代理/分销

    电话： 010-82916312-605

    手机：13381306183

    联系人：陈小姐

    QQ： QQ:3029283833

    邮箱：biyx-yuqian@foxmail.com

    地址：北京北京市北京海淀区宝盛里19号楼兴缘写字楼210室

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商品信息

一、IGBT管简介

IGBT管是绝缘栅双极型晶体管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的简称，它是80年代初诞生，90年
代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的
，其输入级为MOSFET，输出级为PNP型大功率三极管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件输
入阻抗高 响应速度快 热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有双极型器件通态电压低 耐压高和输出
电流大的优点，其频率特性介于MOS-FET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电
力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和
关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时，OSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流
，从而使IGBT管导通，此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降 在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道
消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT管即关断 IGBT管与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅
极发射极间施加十几伏的直流电压，只有微安级的漏电流，基本上不消耗功率，显示了输入阻抗大的优点
。

联系方式

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