S8550LT1(-0.5A)  TRANSISTOR(PNP)

FEATURES

       MARKING: 2TY

 Power dissipation

       PCM: 0.3 W (Tamb=25℃)

Collector current

ICM:  -0.5 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO:  -40 V

Operating and storage junction temperature range

TJ,Tstg:-55℃to+150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃  

unless otherwise specified)

 Parameter

 Symbol

 Test conditions

 MIN

 TYP

 MAX

 UNIT

 Collector-base

 breakdown voltage

 V(BR)CBO

 IC=-100μA,IE=0

 -40

 V

 Collector-emitter

 breakdown voltage

 V(BR)CEO

 IC=-100uA,IB=0

 -25

 V

 Emitter-base

 breakdown voltage

 V(BR)EBO

 IE=-100μA,IC=0

 -5

 V

 Collector

 cut-off current

 ICBO

 VCB=-40V,IE=0

 -0.1

 μA

 Collector

 cut-off current

 ICEO

 VCE=-20V,IB=0

 -0.1

 μA

 Emitter

 cut-off current

 IEBO

 VEB=-5V,IC=0

 -0.1

 μA

 DC

 current gain

 hFE（1）

 VCE=-1V,IC=-100mA

 120

 350

 hFE（2）

 VCE=-1V,IC=-100mA

 Collector-emitter

 saturation voltage

 VCE(sat)

 IC=-500mA,IB=-50mA

 -0.6

 V

 Base-emitter

 saturation voltage

 VBE(sat)

 IC=-500mA,IB=-50mA

 -1.2

 V

 Transition

 frequency

 fT

 VCE=-6V,IE=-20mA

 f=30MHZ

 150

 MHZ

CLASSIFICATION

OF hFE

 Rank

 Range

 120～200

 100～150

 200～350

企业名：深圳市索维兴业电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-82525831

手机：13602633849

联系人：刘君

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