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银河微/Galaxy
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双极型功率晶体管（bipolar power transistor）通常简称功率晶体管，是普及的一种功率晶体管。其中大容量型又称巨型晶体管，简称GTR。功率晶体一般为功率集成器件,内含数十至数百个晶体管单元。按半导体的类型，元件被分成NPN型和PNP型两种，硅功率晶体管多为前者。
功率晶体管广泛应用于各种中小型电力电子电路作开关使用。GTR可用在如变频器、逆变器、斩波器等装置的主回路上。由于GTR无须换流回路，工作频率也可比晶闸管至少高10倍，因此它能简化线路，提高效率，在几十千瓦的上述装置中可以取代晶闸管。但GTR 的过载能力较差，耐压也不易提高，容量较小。未采用复合晶体管结构时，GTR的放大倍数较低（10倍上下）。比起容量较低的功率场效应晶体管，GTR的开关频率较低（采用复合结构时，频率仅为1千赫左右）。所以，功率晶体管的应用受到一些限制。
自80年代中期以来，GTR正向大容量、复合管及模块组件化等方向发展，将在几百千瓦或更大容量的装置中取代晶闸管。
20世纪50～60年代，功率晶体管主要是锗合金管。它制作简单，但耐压不高（几十伏），开关频率也较低（十几千赫）。80年代的大功率高压器件大都为硅平面管,用二次扩散法制得。其中GTR的容量是所有功率晶体管中的，80年代中期已有600A/150V 、400A/550V、50A/1000V等几种。GTR的开关频率上限大致为100千赫。
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