DRT803/201A
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多件包装
企业名:深圳市广辉电子有限公司
类型:
电话: 13686868407
手机:13686868407
联系人:陈树辉
微信:
邮箱:659974144@qq.com
地址:广东深圳深圳市深南东路金城大厦3-10-A//柜台:深圳市华强北路新华强电子世界Q3B026室
∟ 其他IC(5)
DRT803/201A 变比 2:1 抗电强度6.0KV 兵字IGBT驱动变压器
DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。
一.产品特点:
① 耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力;
② 漏感小,保证了更好的输出脉冲波形;
③ 无开关延时、瞬时传输功率高;
④ 抗电强度高,安全可靠;
⑤ 全封闭,机械和耐环境性能好;
⑥ 体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。
二.使用条件:
① 环境温度:-40℃~+85℃
② 相对湿度:温度为40℃时不大于90%
③ 大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg)
三.绝缘耐热等级:F级(155℃)
四.安全特性:
① 绝缘电阻:常态时大于1000MΩ
② 阻燃性:符合UL94-V0级
五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数(典型值)
① 各参数的意义:
u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。
VP—各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s。
∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn(在一定频率范围内其值基本不变)。
V1—输入脉冲幅度(初级脉冲电压)。
tn—在相应的V1和FP下驱动变压器的额定传输脉宽。
V2—输出脉冲幅度(次级脉冲幅度)。
RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。
LP—线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V
LS—漏感(将次级绕组短路后测量)f=1000Hz V=1V
CK—分布电容 f=1000Hz V=1V
② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数
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