您现在的位置:维库电子市场网 > 元器件 > 二极管 > 整流二极管
商铺首页 公司简介 IC产品 供应产品 诚信档案 客户留言

MBRD835LT4G二极管现货销售速来

供应MBRD835LT4G二极管现货销售速来
供应MBRD835LT4G二极管现货销售速来
  • 型号/规格:

    MBRD835LT4G

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO-252-2(DPAK)

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

金牌会员 第 17
  • 企业名:北京天阳诚业科贸有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 17862669251

    手机:17862669251

    联系人:洪宝宇

    QQ: QQ:2881541896

    微信:

    邮箱:hongby@buyele.net

    地址:北京北京市海淀区安宁庄西路9号金泰富地大厦505

产品分类
商品信息

该二极管的主要原理是利用PN结的单向电导率,在PN结上添加引线和封装而成二极管。
该晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的PN结。在界面两侧形成空间电荷层,建立自建电场

无外加电压时,PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流与自建电场引起的漂移电流相等,处于电平衡状态。
当外部电压偏置为正时,外部电场与自建电场的相互作用会增大载流子的扩散电流,产生正向电流。

当外部存在反向偏置电压时,进一步加强外部电场和自建电场,

在一定的反向电压范围内形成与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
施加的反向电压达到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值,导致载流子倍增过程,

大量电子空穴对产生,产生大量反向击穿电流,称为二极管击穿现象。PN结的反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿。

MBRD835LT4G二极管MBRD835LT4G二极管MBRD835LT4G二极管MBRD835LT4G二极管

参数:

MBRD835LT4G C06-二极管 ON SEMICONDUCTOR TO-252-2(DPAK) 2213 * 5,000

英飞凌 s赛普拉斯  镁光  英特尔阿尔特拉 ISSI 

TI,STMICROELECTRONICS,ANALOG DEVICES INC,CHERRY,FINDER,
FTDI,MICROCHIP,MINI-CIRCUITS,NXP,SILICON LABS 
ON  VISHAY  LITTELFUSE     DIODES  QORVO AVAGO  NEXPERIA
HONEYWLL  OMRON    MAXIM   RENESAS     OPTECK
TDK  EPCOS,INVENSENSE INCTDK-LAMBDA    YAGEO PULSE,KEMET

MURATA   SCHAFFNER  PULSE  价格特别有优势  INVENSENSE INC

我公司是一家有10年以上电子元器件分销经验的分销商,我们在全世界内分销、收购过剩库存,公司备有大量现货,经营品牌:集成电路进口全系列,同时我们代购国外代理商的库存,货期快,价格好。比如AD,TI,MAXIM,NXP,ON,BROADCOME,SILICON,ST, 等等。 连接器品牌有:TE、JAE、SAMTEC、 AMP、TYCO、YAZAKI、AMPHENOL、MOLEX、FCI 、HARTING、 DELPHI等。 传感器品牌有: HONEYWELL、OMRON等。 继电器品牌有: CRYDOM、 OMRON 、PANASONIC 、MAGNECRAFT/SCHNEIDER 、TYCO等 开关品牌有: C&K、CARLING、TE等 风扇品牌有: EBM-PAPST、 NMB 、SUNON等 北京上海深圳都可以交货,欢迎新老朋友垂询惠顾。

联系方式

企业名:北京天阳诚业科贸有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 17862669251

手机:17862669251

联系人:洪宝宇

QQ: QQ:2881541896

微信:

邮箱:hongby@buyele.net

地址:北京北京市海淀区安宁庄西路9号金泰富地大厦505

提示:您在维库电子市场网上采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责,请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。请广大采购商认准带有维库电子市场网认证的供应商进行采购!

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9