HS1-6664RH-8/Q
intersil
辐射硬化64K CMOS PROM
-55℃~125℃
企业名:西安福川电子科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 029-88256270
手机:15398081143
联系人:李聪
邮箱:sales@aiboco.com
地址:陕西西安高新区锦业时代B3幢1203室
HS1-6664RH-8/Q
关键特征
SMD的电气筛选
符合MIL-PRF—35535要求的QML
1.2微米辐射硬化体CMOS
总剂量300 krad(Si) (Max)
瞬态输出翻转>5 x 108 rad(Si)/s
快速存取时间35ns (Typ)
单5V电源
单脉冲10V现场可编程
同步操作
片上地址锁存器
三态输出
NiCr保险丝
Low Standby电流<500μA (Pre-Rad)
低工作电流<15mA/MHz
军事温度范围 -55℃~125℃
描述
Intersil 的HS6464RH是一种辐射硬化64K CMOS PROM,由8K格式的8K字组成。该芯片采用辐射硬化CMOS工艺制造,并利用同步电路设计技术,以非常低的功耗实现高速性能。
提供了片上地址锁存器,允许使用多路复用地址/数据总线结构的微处理器容易地接口。输出允许控制(G)通过允许输出数据总线控制,除了芯片使能控制(E)之外,简化了系统接口。所有位被制造成存储逻辑“0”,并且可以在任意位位置选择性地为逻辑“1”编程。
HS626RH CMOS PROM的应用包括基于微处理器的低功耗仪器和通信系统、远程数据采集和处理系统和处理器控制存储器。
西安福川电子科技有限公司
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