HS1-6664RH-8/Q

 

关键特征

 

• SMD的电气筛选

• 符合MIL-PRF—35535要求的QML

• 1.2微米辐射硬化体CMOS

• 总剂量300 krad(Si) (Max)

• 瞬态输出翻转>5 x 10⁸ rad(Si)/s

• 快速存取时间35ns (Typ)

• 单5V电源

• 单脉冲10V现场可编程

• 同步操作

• 片上地址锁存器

• 三态输出

• NiCr保险丝

• Low Standby电流＜500μA (Pre-Rad)

• 低工作电流＜15mA/MHz

• 军事温度范围 -55℃~125℃

描述

Intersil 的HS6464RH是一种辐射硬化64K CMOS PROM，由8K格式的8K字组成。该芯片采用辐射硬化CMOS工艺制造，并利用同步电路设计技术，以非常低的功耗实现高速性能。

 

提供了片上地址锁存器，允许使用多路复用地址/数据总线结构的微处理器容易地接口。输出允许控制（G）通过允许输出数据总线控制，除了芯片使能控制（E）之外，简化了系统接口。所有位被制造成存储逻辑“0”，并且可以在任意位位置选择性地为逻辑“1”编程。

 

HS626RH CMOS PROM的应用包括基于微处理器的低功耗仪器和通信系统、远程数据采集和处理系统和处理器控制存储器。

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