类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商：Infineon Technologies

系列：HEXFET

包装 ：带卷（TR） 

FET 类型：N 

沟道技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：26A（Ta），375A（Tc）

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：300nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：12222pF @ 25VFET 

功能-功率耗散（值）：3.3W（Ta），125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：2.3 毫欧 @ 96A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型;表面贴装

供应商器件封装:DIRECTFET L8

封装/外壳:DirectFET™ 等距 L8

企业名：深圳市科之盛科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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