FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）:（25°C 时） 10A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 70nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :2900pF @ 15V
Vgs（值） :±20V
FET 功能 -
功率耗散（值）: 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 14 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 :表面贴装

供应商器件封装: 8-SO

1. 电流表要与被测用电器串联。
2. 正负接线柱的接法要正确：使电流从正接线柱流入，从负接线柱流出，俗称正进负出。
3. 被测电流不要超过电流表的量程。（否则会烧坏电流表）可用试触的方法确定量程。
4. 因为电流表内阻太小（相当于导线），所以不允许不经过用电器而把电流表直接连到电源的两极上。
5. 确认使用的电流表的量程。
6. 确认每个大格和每个小格所代表的电流值。

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类型：生产制造商

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