ET 类型： N 沟道
技术 MOSFET：（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 150V
电流 - 连续漏极（Id）：（25°C 时） 4.1A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）： 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）： 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）： 1290pF @ 25V
Vgs（值）： ±20V
FET 功能 -
功率耗散（值）： 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） ：66 毫欧 @ 4.1A，10V
工作温度 ：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 ：表面贴装

SOP封装是一种元件封装形式，常见的封装材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金属等，现在基本采用塑料封装.，应用范围很广，主要用在各种集成电路中。

SOP（Small Out-Line Package小外形封装）是一种很常见的元器件形式。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有塑料和陶瓷两种。始于70年代末期。由1980 年代以前的通孔插装(PTH)型态，主流产品为DIP(Dual In-Line Package)，进展至1980 年代以SMT(Surface Mount Technology)技术衍生出的SOP(Small Out-Line Package)、SOJ(Small Out-Line J-Lead)、PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、QFP(Quad Flat Package)封装方式，在IC 功能及I/O 脚数逐渐增加后，1997 年Intel 率先由QFP 封装方式更新为BGA(Ball Grid Array，球脚数组矩阵)封装方式，除此之外，近期主流的封装方式有CSP(Chip Scale Package 芯片级封装)及Flip Chip(覆晶)

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