FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）:（25°C 时） 6A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）: 6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） :4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）: 25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） :1300pF @ 25V
Vgs（值） :±20V
FET 功能 -
功率耗散（值） :2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）: 35 毫欧 @ 6A，10V
工作温度 :-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 :表面贴装

    1968~1969年菲利浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等

SOP封装的应用范围很广，而且以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等在集成电路中都起到了举足轻重的作用。像主板的频率发生器就是采用的SOP封装。

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