一般信息

数据列表： IRF7805;
标准包装  ： 4000
包装 ：  管件  
类别： 分立半导体产品
产品族： 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列： HEXFET®
其它名称： *IRF7805A 


规格
FET 类型 ：N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 13A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）： 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）： 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） ：31nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） -
Vgs（值） ：±12V
FET 功能 -
功率耗散（值）：2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）： 11 毫欧 @ 7A，4.5V
工作温度 ：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-SO

企业名：深圳市远东国际电子有限公司

类型：生产制造商

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