类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 4.5V
Vgs（值） ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7980pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（值） 2.5W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 8.2 毫欧 @ 15A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装

供应商器件封装 8-SO 封装分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 型号IRF7425TRPBF，

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