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SIHG33N60EF-GE3全新原装进口现货

  • 型号/规格:

    SIHG33N60EF-GE3

  • 品牌/商标:

    \t VISHAY

  • 封装:

    TO-247

  • 数量:

    300000

  • 批号:

    +19

发布询价信息

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VIP会员 第 12
  • 企业名:深圳市华诺星科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-82789976

    手机:18998911795

    联系人:林小姐

    QQ: QQ:2355717478

    邮箱:sales02@hnxtech.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602室

商品信息

型号:SIHG33N60EF-GE3

品牌:VISHAY

SIHG33N60EF-GE3

威世 EF 系列带快速体二极管的功率 MOSFET

威世 SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EF 系列功率 MOSFET 是一款 600V 快速体二极管 N 沟道功率 MOSFET,专为零电压开关(ZVS)/软开关 PWM 拓扑,如相移桥和 LLC 转换器半桥而开发。SiHx28N60EF 和 SiHx33N60EF 的反向恢复电荷(Qrr)比标准 MOSFET 低 10 倍以上,可在这些应用中提高可靠性。这使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压,有助于避免因击穿和热过应力而导致的失效。另外,更低的 Qrr 使器件的反向恢复损耗低于标准 MOSFET。这款器件的导通电阻和栅极电荷极低,因而传导损耗和开关损耗也极低,能在高功率、高性能的开关电源应用里节约能耗。该系列基于 E 系列超级结技术,通过了雪崩 UIS 测试,有 TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247AC 封装形式可选。

特点

快速体二极管 MOSFET,采用 E 系列技术

更低的 Trr / Qrr / Irrm

低品质因数(FOM):Ron x Qg

超低闸极电荷(Qg)

低反向恢复电荷(Qrr)提高了在零电压开关拓扑结构中的可靠性

超低导通电阻和栅极电荷降低了导通和开关损耗

有 TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247AC 封装形式可选

可承受雪崩和整流模式里的高能脉冲,确保极限值 100% 通过 UIS 测试

符合 RoHS,无卤素   

应用     SIHG33N60EF-GE3

电信

(服务器和电信电力供应)

照明

高强度放电(HID)

照明 发射 二极管(LED)

消费电子和计算机

ATX 电源

工业

焊接

电池充电器

可再生能源

太阳能光伏逆变器

开关电源(SMPS)

采用以下拓扑结构的应用

LLC

相移桥(ZVS)

3 SIHG33N60EF-GE3电平逆变器

直流/交流桥


联系方式

企业名:深圳市华诺星科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-82789976

手机:18998911795

联系人:林小姐

QQ: QQ:2355717478

邮箱:sales02@hnxtech.com

地址:广东深圳深圳市福田区振兴路上步工业区405栋6楼601-602室

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