CK5G14 在同一颗芯片中同时集成了三个 250V 半桥栅极

驱动器，特别适合于三相电机应用中高速功率 MOSFET

和 IGBT 的栅极驱动。芯片内置了死区时间和上下管直

通保护，非常有效地阻止半桥电路损坏。为了防止因芯

片工作在较低的电源电压而对功率管产生损害，芯片内

部集成了欠压锁定电路来阻止该现象发生。先进的高压

BCD 制程和内置共模噪声消除技术使得高边驱动器在高

dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬

态电压忍受能力。为了延长电池的使用时间，可以通过

对 EN 引脚的控制使芯片能进入到低消耗电流的待机模

式.

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