GM8913、GM8914,DC平衡双向控制串行器

GM8913主要跟GM8914配对应用于车载系统的主要应用于advanced drive assistance systems（ADAS）中ECU（电子控制单元）

视频处理器与防碰撞系统前端摄像机、后视镜、摄像机和停车系统成像仪系统。 也就是常说的流媒体后视镜！GM8913、GM8914完美替代DS90UB913QSQ、DS90UB914QSQ

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一、GM8913

1 概述
     GM8913型DC平衡双向控制串行器，其主要功能是实现将10或12位并行控制信号和一路时钟信号串行为一路2.8Gbps高速串行数据；同时接收低速通道信号实现模式配对的功能。芯片内部集成终端电阻，可通过外部I/0或I2C总线进行配置，支持power down模式。芯片core电源VDDn为1.8V，I/O电源VDDIO可支持3.3V和1.8V两种电压。
     该芯片的主要应用领域是汽车Advanced Driver Assistance Systems (ADAS)中ECU(电子控制单元)视频处理器与防碰撞系统前端摄像机、后视镜摄像机和停车系统成像仪模块之间的无缝、独立双向、低时延通讯。
2 特征
a） 工作温度范围：-40℃～105℃；
b） 电源电压VDDn：1.8V；
c） 电源电压VDDIO：3.3V或1.8V；
d） 封装形式：QFN32；
e） 器件等级：工业级。

3 封装及引脚功能说明

本器件采用32引线的方形扁平无引脚封装（QFN32），引脚排序如下所示。

该芯片的各引脚功能描述见表

...

4 功能描述
     功能框图按图3 规定。器件主要实现器件主要实现将10 位或12 位并行信号转换为2.8Gbps 高速串行信号；同时低速通道接收器实现将串行控制信息解串译码的功能。并由接
收器、驱动器、时钟与数据恢复、判决反馈均衡器、判决反馈均衡器数字算法控制、数字选择及状态控制、锁相环、数据解码和输出锁存模块组成。

 

5 参数指标
5.1 极限工作条件
电源电压（VDDPLL、VDDT、VDDCML、VDDD）：-0.3V～2V
电源电压（VDDIO）：-0.3V～3.6V；
结温（Tj）：150℃；
引线耐焊接温度（Th）（4s）：260℃；
功耗（PD）：0.9W；
热阻（RθJc）：27℃/W；
贮存环境温度（Tstg）：-65℃～150℃；
静电放电敏感度（VESD）：2000V。
5.2 推荐工作条件
电源电压（VDDPLL、VDDT、VDDCML、VDDD）：1.8V±0.09V；
电源电压（VDDIO）：3.3V±0.3V、1.8V±0.09V；
输入时钟频率（fTCLK）：25MHz~150MHz；

电源噪声电压（Vnoise）：≤50mV；
工作温度（TA）：-40℃～105℃。
5.3 静态参数

二、GM8914

1 概述
    GM8914型DC平衡双向控制解串器，其主要功能是实现将2.8Gbps高速串行数据转换成10或12位并行控制信号，并同步输出一路时钟信号；同时低速通道将芯片控制信息调制到高速差分信号上传输给前级驱动器模块的功能。芯片内部集成终端电阻，可通过外部I/0或I2C总线进行配置，支持power down模式。芯片core电源VDDn为1.8V，I/O电源VDDIO可支持3.3V和1.8V两种电压。
    该芯片的主要应用领域是汽车Advanced Driver Assistance Systems (ADAS)中ECU(电子控制单元)视频处理器与防碰撞系统前端摄像机、后视镜摄像机和停车系统成像仪模块之间的无缝、独立双向、低时延通讯。
2 特征
a） 工作温度范围：-40℃～105℃；
b） 电源电压VDDn：1.8V；
c） 电源电压VDDIO：3.3V或1.8V；
d） 封装形式：QFN48；
e） 器件等级：工业级。
3 封装及引脚功能说明

4 功能描述
    功能框图按图3 规定。器件主要实现将2.8Gbps 高速串行数据转换成10 或12 位并行控制信号，并同步输出一路时钟信号；同时低速通道将芯片控制信息调制到高速差分信号上传输给前级驱动器模块的功能。并由接收器、驱动器、时钟与数据恢复、判决反馈均衡器、判决反馈均衡器数字算法控制、数字选择及状态控制、锁相环、数据解码和输出锁存模块组成。

5 参数指标
5.1 极限工作条件
电源电压（VDDD、VDDSSCG、VDDR、VDDPLL、VDDCML0/1）：-0.3V～2V
电源电压（VDDIO1/2/3）：-0.3V～3.6V；
结温（Tj）：150℃；
引线耐焊接温度（Th）（4s）：260℃；
功耗（PD）：0.9W；
热阻（RθJc）：27℃/W；

贮存环境温度（Tstg）：-65℃～150℃；
静电放电敏感度（VESD）：2000V。
5.2 推荐工作条件
电源电压（VDDD、VDDSSCG、VDDR、VDDPLL、VDDCML0/1）：1.8V±0.09V；
电源电压（VDDIO1/2/3）：3.3V±0.3V、1.8V±0.09V；
输入时钟频率（fTCLK）：25MHz~150MHz；
电源噪声电压（Vnoise）：≤50mV；
工作温度（TA）：-40℃～105℃。
5.3 静态参数

 

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