功率场效应管NCE60P50K采用先进的沟槽技术和设计，提供了极好的RDS(ON)与低栅电荷，该设备非常适合于高电流负载的应用。

　　产品型号：NCE60P50K

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：50A

　　漏源电压（Vdss）：60V

　　栅源极阈值电压：3.5V@250uA

　　漏源导通电阻：23mΩ@20A,10V

　　类型：P沟道

　　功率耗散（Ta）：95W

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　　功率场效应管型号应用：

　　负荷开关

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　　功率场效应管型号封装：

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　漏源电压：-60v

　　栅源电压：±20v

　　漏电流连续：-50a

　　漏电流连续(TC=100℃)ID：-35a

　　脉冲漏电流：-150a

　　功耗：95W

　　降额因子：0.76W/℃

　　单脉冲雪崩能量(注5)：722mJ

　　工作结和储存温度范围：-55~150℃

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企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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