供应IR原装功率MOS管IRFP4668PBF

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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李先生18926457200

RoHS： 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

封装：管件

说明：MOSFET N-CH 200V 130A TO-247AC

设计资源：IRFP4668PBF Saber ModelIRFP4668PBF Spice Model

PCN Assembly/Origin：Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013

标准包装：25

类别：分立式导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET?

包装：管件

供应IR原装功率MOS管IRFP4668PBF

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：130A （Tc）

不同?Id、Vgs 时的?Rds On（值）：9.7 毫欧 @ 81A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：241nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10720pF @ 50V

功率 - 值：520W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-247-3

供应商器件封装：TO-247AC

产品目录页面：1519

供应IR原装功率MOS管IRFP4668PBF

企业名：深圳市向鸿伟业电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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