IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:265 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:16 VQg-栅极电荷:13.3 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:39 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 N-Channel 类型:HEXFET Power MOSFET 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies CNHTS:8541290000 下降时间:22 ns HTS代码:8541290095 MXHTS:85412999 产品类型:MOSFET 上升时间:35 ns 工厂包装数量:2000 子类别:MOSFETs TARIC:8541290000 典型关闭延迟时间:23 ns 典型接通延迟时间:4 ns 零件号别名:SP001574026 单位重量:4 g

制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:11 ARds On-漏源导通电阻:265 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:16 VQg-栅极电荷:13.3 nC工作温度:- 55 C工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:39 W配置:Single通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:2.3 mm 长度:6.5 mm 晶体管类型:1 N-Channel 类型:HEXFET Power MOSFET 宽度:6.22 mm 商标:Infineon Technologies CNHTS:8541290000 下降时间:22 ns HTS代码:8541290095 MXHTS:85412999 产品类型:MOSFET 上升时间:35 ns 工厂包装数量:2000 子类别:MOSFETs TARIC:8541290000 典型关闭延迟时间:23 ns 典型接通延迟时间:4 ns 零件号别名:SP001574026 单位重量:4 g

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