制造商: ON Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS:  详细信息

 

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247

安装风格: Through Hole

集电极—发射极电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

栅极/发射极电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 120 A

Pd-功率耗散: 600 W

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

系列: FGH60N60SMD

封装: Tube

商标: ON Semiconductor / Fairchild

 

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

 

工厂包装数量: 450

 

单位重量: 6.390 g

         IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型

场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方

面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压

降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为

600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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