制造商: Cree, Inc.

产品种类: 肖特基二极管与整流器

RoHS: 详细信息

 

产品: Schottky Silicon Carbide Diodes

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-2

If - 正向电流: 4 A

Vrrm - 重复反向电压: 600 V

Vf - 正向电压: 1.8 V

Ifsm - 正向浪涌电流: 110 A

配置: Single

技术: SiC

Ir - 反向电流 : 50 uA

工作温度: - 55 C

工作温度: + 175 C

封装: Cut Tape

封装: Reel

工作温度范围: - 55 C to + 175 C

 

类型: -

 

商标: Cree, Inc.

 

Pd-功率耗散: 75 W

 

工厂包装数量: 2500

 

trr - 反向恢复时间 : -

 

单位重量: 340 mg

         肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒

具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电

子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散

运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方

向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的

电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对

的平衡，便形成了肖特基势垒

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