企业名:深圳市恒美威科技有限公司
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型号:IXGQ85N33PCD1
制造商:IXYS
产品种类:IGBT 晶体管
封装 / 箱体:TO-3P-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极电压 VCEO:330 V
栅极/发射极电压:+/- 30 V
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
封装:Tube
集电极连续电流 Ic:85 A
长度:15.8 mm
宽度:4.9 mm
商标:IXYS
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:30
子类别:IGBTs
单位重量:5.500 g
严格意义上讲,晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。
晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。
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