制造商: ISSI

产品种类: 动态随机存取存储器

类型: SDRAM

数据总线宽度: 16 bit

组织: 4 M x 16

封装 / 箱体: BGA-60

存储容量: 64 Mbit

时钟频率: 143 MHz

访问时间: 5.4 ns

电源电压-: 3.6 V

电源电压-: 3 V

电源电流—值: 90 mA

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

系列: IS42S16400J

封装: Tray

商标: ISSI  

安装风格: SMD/SMT  

工作电源电压: 3.3 V  

产品类型: DRAM  

工厂包装数量: 286  

子类别: Memory & Data Storage  

单位重量: 103 mg  

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。

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