制造商: Osram Opto Semiconductor

产品种类: 光电二极管

产品: PIN Photodiodes

封装 / 箱体: DIL-SMT-2

安装风格: SMD/SMT

峰值波长: 850 nm

暗电流: 2 nA

Vr - 反向电压 : 32 V

上升时间: 25 ns

下降时间: 25 ns

半强度角度: 60 deg

工作温度: - 40 C

工作温度: + 85 C

高度: 1.2 mm  

长度: 4.5 mm  

类型: Silicon PIN Photodiode  

宽度: 4 mm  

商标: OSRAM Opto Semiconductors  

If - 正向电流: 100 mA  

噪声等效功率 - NEP: 13E-14 W/sqrt Hz  

Pd-功率耗散: 150 mW  

光电流: 14.8 uA  

产品类型: Photodiodes  

响应率: 0.2 A/W  

工厂包装数量: 1500  

子类别: Optical Detectors and Sensors  

Vf - 正向电压: 1.3 V  

零件号别名: Q65110A2625  

单位重量: 44 mg

光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。光电二极管与光电倍增管相比，具有电流线性良好、成本低、体积小、重量轻、寿命长、量子效率高（典型值为80%）及无需高电压等优点，且频率特效好，适宜于快速变化的光信号探测。不足是面积小、无内部增益（雪崩光电管的增益可达100~1000，光电倍增管的增益则可达100000000）、灵敏度较低（只有特别设计后才能进行光子计数）以及相应时间慢，且工艺要求很高。光电二极管和一般的半导体二极管相似，可以暴露（探测真空紫外）或用窗口封装或由光纤连接来感光。

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