晶体管级别的电路设计主要使用SPICE或其他类似的模拟电路仿真器进行，因此对于设计者来说，模型的复杂程度并不会带来太大的问题。但在以人工分析模拟电路的问题时，并不总能像处理经典的电路分析那样采取计算的方法，因而采用近似的方法是十分必要的。集电极-发射极电流可以视为受基极-发射极电流的控制，这相当于将双极性晶体管视为一种“电流控制”的器件。

制造商编号：BC856ALT1  

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: - 65 V

集电极—基极电压 VCBO: - 80 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V

集电极—射极饱和电压: - 0.65 V

直流电集电极电流: 0.1 A

Pd-功率耗散: 225 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

封装: Cut Tape

封装: Reel

高度: 0.94 mm  

长度: 2.9 mm  

技术: Si  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: - 0.1 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 125  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 8 mg  

企业名：深圳市星河微电子有限公司

类型：贸易/代理/分销

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