制造商编号：NSS40200LT1G

制造商: NXP

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

晶体管极性: PNP

配置: Single

集电极—发射极电压 VCEO: 40 V

集电极—基极电压 VCBO: 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

直流电集电极电流: 2 A

Pd-功率耗散: 540 mW

增益带宽产品fT: 100 MHz

工作温度: - 55 C

工作温度: + 150 C

技术: Si  

商标: NXP Semiconductors  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 250 at 10 mA, 2 V  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

子类别: Transistors

双极型晶体管极限参数

★集电极耗散功率 如图所示。

★集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极允许电流。

★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

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